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HMG40N60T	文件：1.22062 Mbytes Page：6 Pages	600V,40A,TrenchFSIIIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IGW40N60DTP	文件：1.46423 Mbytes Page：14 Pages	600VDuoPackIGBTTRENCHSTOPTMPerformanceseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IHW40N60R	文件：2.06634 Mbytes Page：15 Pages	ReverseconductingIGBT	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW40N60RF	文件：2.03555 Mbytes Page：15 Pages	Powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltagedesignedforsoftcommutationonly	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW40N60RF	文件：794.56 Kbytes Page：12 Pages	powerfulmonolithicbodydiodewithlowforwardvoltage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW40N60T	文件：385.26 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop-technologywithanti-paralleldiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW40N60T	文件：383.77 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStop-technologywithanti-paralleldiode Features: •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •TrenchStop® andFieldstoptechnologyfor600Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -lowVCE(sat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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更多FGH40N60SFDTU其他被动元件供应商更新时间2025-7-28 14:02:00

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