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IKW40N60DTP	文件：1.54248 Mbytes Page：16 Pages	600VDuoPackIGBTanddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IRFPS40N60K	文件：183.25 Kbytes Page：9 Pages	EnhancedBodyDiodedV/dtCapability	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFPS40N60KPBF	文件：176.71 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFK40N60	文件：328.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXFN40N60	文件：82.16 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXGH40N60A	文件：106.52 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS™process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C) Applications ACmo	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH40N60B	文件：296.67 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTIGBT HiPerFAST™IGBT LightspeedSeries	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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更多FGH40N60SFDTU其他被动元件供应商更新时间2025-7-29 14:01:00

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