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FGD3440G2-F085	文件：1.26515 Mbytes Page：9 Pages	EcoSPARK®2 335mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT Features -SCISEnergy=335mJatTJ=25oC -LogicLevelGateDrive -QualifiedtoAECQ101 -RoHSCompliant Applications -AutomotivelgnitionCoilDriverCircuits -CoilOnPlugApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGD3440G2-F085	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 400V 26.9A TO252AA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGD3440G2-F085V	文件：1.01146 Mbytes Page：8 Pages	EcoSPARK 2 N-Channel Ignition IGBT 335 mJ, 400 V Features •SCISEnergy=335mJatTJ=25°C •LogicLevelGateDrive •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applications •AutomotiveIgnitionCoilDriverCircuits •HighCurrentIgnitionSystem •CoilonPlugApplication	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGD3440G2-F085V	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 450V DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGB3440G2-F085	文件：1.26515 Mbytes Page：9 Pages	EcoSPARK®2335mJ,400V,N-ChannelIgnitionIGBT Features -SCISEnergy=335mJatTJ=25oC -LogicLevelGateDrive -QualifiedtoAECQ101 -RoHSCompliant Applications -AutomotivelgnitionCoilDriverCircuits -CoilOnPlugApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGP3440G2-F085	文件：1.26515 Mbytes Page：9 Pages	EcoSPARK®2335mJ,400V,N-ChannelIgnitionIGBT Features -SCISEnergy=335mJatTJ=25oC -LogicLevelGateDrive -QualifiedtoAECQ101 -RoHSCompliant Applications -AutomotivelgnitionCoilDriverCircuits -CoilOnPlugApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
FGD3440G2-F085
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.2V @ 4V，6A
输入类型：
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值：
-/5.3µs
测试条件：
300V，6.5A，1 千欧，5V
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252AA
描述：
IGBT 400V 26.9A TO252AA

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更多FGD3440G2-F085供应商更新时间2024-4-28 15:09:00

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