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FGA20S140P

IGBT,1400V,20A,短路阳极

飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术,为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置,具有极佳的雪崩能力。该器件为感应加热和微波炉而设计。 •高速开关\n•低饱和电压:VCE(sat) =1.9V @ IC = 20A\n•高输入阻抗\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FGA20S140P

Shorted AnodeTM IGBT

文件:872.06 Kbytes 页数:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

FGA20S140P

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT TRENCH/FS 1400V 40A TO3PN

ONSEMI

安森美半导体

FGA25N120

TO3P

仙童

FGA25N120

TO-3

仙童

产品属性

  • 产品编号:

    FGA20S140P

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,20A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3PN

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 1400V 40A TO3PN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FGA20S140P供应商 更新时间2025-10-30 14:14:00