SiC 二极管，1200V，20A，TO-220-2

碳化硅肖特基二极管没有开关损耗、通过采用新型半导体材料（碳化硅）提供比硅二极管更高的系统效率，提供更高的工作频率、有助于提高功率密度和减少系统尺寸/成本。 其高可靠性确保浪涌或过压状况下的稳健运行 •最大节温 175°C\n•雪崩额定值 200 mJ\n•高浪涌电流容量\n•正温度系数\n•易于实现并联运行\n•无反向恢复/无正向恢复;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：FFSP20120A；Package：TO-220-2LD；Silicon Carbide Schottky Diode

文件：304.59 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-220-2；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOT 1200V 20A TO220-2L

ONSEMI

安森美半导体

20 AMP SCHOTTKY RECTIFIERS

20 Amp Schottky Barrier Rectifier • Schottky Barrier Rectifier • Guard ring for reverse protection • 2 X 10 Amperes Avg, • High surge capacity • VRRM 120-150 Volts

文件：149.87 Kbytes 页数：2 Pages

Microsemi

美高森美

20 AMP SCHOTTKY RECTIFIERS

20 Amp Schottky Barrier Rectifier • Schottky Barrier Rectifier • Guard ring for reverse protection • 2 X 10 Amperes Avg, • High surge capacity • VRRM 120-150 Volts

文件：143.64 Kbytes 页数：2 Pages

Microsemi

美高森美

Dual Schottky Barrier Rectifiers

文件：96.46 Kbytes 页数：2 Pages

EIC