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FFSP20120A数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

FFSP20120A

参数属性

FFSP20120A 封装/外壳为TO-220-2;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOT 1200V 20A TO220-2L

功能描述

SiC 二极管,1200V,20A,TO-220-2
DIODE SCHOT 1200V 20A TO220-2L

封装外壳

TO-220-2

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 20:00:00

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FFSP20120A规格书详情

描述 Description

碳化硅肖特基二极管没有开关损耗、通过采用新型半导体材料(碳化硅)提供比硅二极管更高的系统效率,提供更高的工作频率、有助于提高功率密度和减少系统尺寸/成本。 其高可靠性确保浪涌或过压状况下的稳健运行

特性 Features

•最大节温 175°C
•雪崩额定值 200 mJ
•高浪涌电流容量
•正温度系数
•易于实现并联运行
•无反向恢复/无正向恢复

简介

FFSP20120A属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的FFSP20120A二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FFSP20120A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Device Grade

    :Commercial

  • Configuration

    :Single

  • VRRM (V)

    :1200

  • IF(ave) (A)

    :20

  • VF (Max)

    :1.75

  • IFSM (A)

    :135

  • IR (Max) (µA)

    :200

  • Package Type

    :TO-220-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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