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FFSP0665A	文件：302.57 Kbytes Page：6 Pages	Marking：FFSP0665A；Package：TO-220-2LD；Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 6 A Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSP0665A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V TO220-2	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PCDD0665GB	文件：440.05 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PCDP0665GB	文件：329.65 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PSC0665H	文件：255.9 Kbytes Page：10 Pages	650V,6ASiCSchottkydiodeinDPAKR2P 1.Generaldescription NexperiaintroducesleadingedgeSiliconCarbide(SiC)Schottkydiodeforultrahighperformance, lowloss,highefficiencypowerconversionapplications.TheSiCSchottkydiodeencapsulated inaReal-2-PinDPAKR2P(TO-252-2)Surface-MountedDevice(SMD)powerplasticpa	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSC0665K	文件：233.91 Kbytes Page：9 Pages	650V,6ASiCSchottkydiodeinTO-220-2R2P 1.Generaldescription NexperiaintroducesleadingedgeSiliconCarbide(SiC)Schottkydiodeforultra-highperformance, lowloss,highefficiencypowerconversionapplications.TheSiCSchottkydiodeisencapsulatedin aReal-2-Pin(R2P)TO-220-2through-holepowerplasticpackage.Theproduct	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
SMN0665F	文件：350.19 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGREGULATORAPPLICATION	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMN0665FD	文件：429.58 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SMN0665FL	文件：389.15 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGREGULATORAPPLICATION	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
TZ0665A	文件：189.32 Kbytes Page：5 Pages	SMD5.0x3.226.0MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountSeamWeldPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature DescriptionandApplications: Surfacemount5.0mmx3.2mmcrystalunitforuseinwirelesstelecommunicationsdevices, especiallyforaneedofultraminiatu	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW

产品属性

产品编号：
FFSP0665A
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
8.8A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
361pF @ 1V，100kHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2
供应商器件封装：
TO-220-2L
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 650V TO220-2

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