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FFSH3065ADN数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

厂商型号 |
FFSH3065ADN |
参数属性 | FFSH3065ADN 封装/外壳为TO-247-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:650V 30A SIC SBD |
功能描述 | SiC Diode, 650V, 30A, TO-247-3, Common Cathode |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 15:18:00 |
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FFSH3065ADN规格书详情
描述 Description
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology thatprovides superior switching performance and higher reliability to silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermalperformance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
特性 Features
• Max Junction Temperature 175 °C
• High Surge Current Capacity
• Positive Temperature Coefficient
• No Reverse Recovery / No Forward Recovery
应用 Application
• PFC
• Industrial Power
• Solar
• EV Charger
• UPS
• Welding
简介
FFSH3065ADN属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的FFSH3065ADN二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
:FFSH3065ADN
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-freeHalide free
- Status
: Active
- Description
: SiC Diode
- Device Grade
:Commercial
- Configuration
:Dual Common CathodeSingle
- VRRM (V)
:650
- IF(ave) (A)
:30
- VF (Max)
:1.75
- IFSM (A)
:
- IR (Max) (µA)
:
- Package Type
:TO-247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO247 |
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ON(安森美) |
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ON |
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三年内 |
1983 |
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TO-247 |
10000 |
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