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FFSH20120A中文资料碳化硅肖基特二极管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FFSH20120A

参数属性

FFSH20120A 封装/外壳为TO-247-2;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2

功能描述

碳化硅肖基特二极管
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 30A TO247-2

封装外壳

TO-247-2

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 17:15:00

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FFSH20120A规格书详情

描述 Description

碳化硅肖特基二极管使用全新技术,相比硅材,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。 无反向恢复电流、随温度变化的开关特性,以及出色的热性能使碳化硅成为新一代功率半导体。 系统优势包括效率最高、运行频率更快、功率密度增加、电磁干扰减少、以及系统大小和成本降低。

特性 Features

•最大结温 175 °C
•雪崩额定值 200 mJ
•高浪涌电流能力
•正温度系数
•易于并联
•无反向恢复/无正向恢复

简介

FFSH20120A属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的FFSH20120A二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FFSH20120A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Device Grade

    :Commercial

  • Configuration

    :Single

  • VRRM (V)

    :1200

  • IF(ave) (A)

    :20

  • VF (Max)

    :1.75

  • IFSM (A)

    :135

  • IR (Max) (µA)

    :200

  • Package Type

    :TO-247-2

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