FFSH20120ADN中文资料SiC Diode - 1200V, 20A, TO-247-3, Common Cathode数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

碳化硅肖特基二极管没有开关损耗、通过采用新型半导体材料（碳化硅）提供比硅二极管更高的系统效率，提供更高的工作频率、有助于提高功率密度和减少系统尺寸/成本。 其高可靠性确保浪涌或过压状况下的稳健运行

特性 Features

•最大节温 175 °C
•雪崩额定值 105 mJ
•高浪涌电流容量
•正温度系数
•无反向恢复/无正向恢复

简介

FFSH20120ADN属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的FFSH20120ADN二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管，并增加了“二极管配置”属性，该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意，具有全桥配置的阵列被专门排除在外，并列为单独的产品系列。