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FFSD1065B	文件：405.86 Kbytes Page：3 Pages	SiC Schottky Diode DESCRIPTION ·HighSurgeCurrentCapacity ·NoReverseRecovery/NoForwardRecovery ·EaseofParalleling APPLICATIONS ·GeneralPurpose ·SMPS,SolarInverter,UPS ·PowerSwitchingCircuits	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FFSD1065B	文件：465.51 Kbytes Page：6 Pages	Marking：FFSD1065B；Package：DPAK3；Silicon Carbide Schottky Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSD1065B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：650V 10A SIC SBD GEN1.5	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSD1065B-F085	文件：396.36 Kbytes Page：7 Pages	Marking：FFSD1065B；Package：DPAK-3；Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 10 A Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSD1065B-F085_V01	文件：396.36 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 10 A Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSD1065B-F085	文件：308.49 Kbytes Page：7 Pages	Marking：FFSD1065B；Package：DPAK-3；Silicon Carbide Schottky Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
FFSD1065B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
13.5A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
424pF @ 1V，100kHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-PAK（TO-252）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
650V 10A SIC SBD GEN1.5

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