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FFSD0665A	文件：418.89 Kbytes Page：6 Pages	Marking：FFSD0665A；Package：DPAK3；Silicon Carbide Schottky Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSD0665A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 11A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSD0665B	文件：456.27 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSM0665A	文件：328.46 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSM0665B	文件：199.58 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSP0665A	文件：302.57 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode650V,6A Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PCDD0665GB	文件：440.05 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PCDP0665GB	文件：329.65 Kbytes Page：5 Pages	SiliconCarbideSchottkyBarrierDiode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability CompetitiveVF1.3Vatratedcurrent LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PSC0665H	文件：255.9 Kbytes Page：10 Pages	650V,6ASiCSchottkydiodeinDPAKR2P 1.Generaldescription NexperiaintroducesleadingedgeSiliconCarbide(SiC)Schottkydiodeforultrahighperformance, lowloss,highefficiencypowerconversionapplications.TheSiCSchottkydiodeencapsulated inaReal-2-PinDPAKR2P(TO-252-2)Surface-MountedDevice(SMD)powerplasticpa	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSC0665K	文件：233.91 Kbytes Page：9 Pages	650V,6ASiCSchottkydiodeinTO-220-2R2P 1.Generaldescription NexperiaintroducesleadingedgeSiliconCarbide(SiC)Schottkydiodeforultra-highperformance, lowloss,highefficiencypowerconversionapplications.TheSiCSchottkydiodeisencapsulatedin aReal-2-Pin(R2P)TO-220-2through-holepowerplasticpackage.Theproduct	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
FFSD0665A
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
11A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
361pF @ 1V，100kHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-PAK（TO-252）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 11A DPAK

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