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FFSB20120A-F085	文件：316.72 Kbytes Page：6 Pages	丝印：FFSB20120A；Package：D2PAK；Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 20 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil 文件：316.72 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FFSB20120A	文件：185.3 Kbytes Page：7 Pages	丝印：FFSB20120A；Package：D2PAK-3；Silicon Carbide Schottky Diode 文件：185.3 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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FFSB20120A-F085_V01	文件：316.72 Kbytes Page：6 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 20 A Description Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Sil 文件：316.72 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多FFSB20120A供应商更新时间2025-8-22 15:01:00

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