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Marking:FFSH10120ADN;Package:TO-247-3LD;Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 10 A Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI |
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