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FFSP1065B

Marking:FFSP1065B;Package:TO220;Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 10 A

SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSiliconCarbide

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

FFSP1065B-F085

Marking:FFSP1065B;Package:TO220;Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 10 A

SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSiliconCarbide

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    FFSP1065B

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    11A

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    421pF @ 1V,100kHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2

  • 供应商器件封装:

    TO-220-2

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    SIC DIODE TO220 650V

供应商型号品牌批号封装库存备注价格