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FFSP1065B	文件：278.59 Kbytes Page：6 Pages	Marking：FFSP1065B；Package：TO220；Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 10 A SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSiliconCarbide	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FFSP1065B-F085	文件：279.43 Kbytes Page：6 Pages	Marking：FFSP1065B；Package：TO220；Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 10 A SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSiliconCarbide	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Marking：FFSP1065B；Package：TO220；Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 10 A

SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSiliconCarbide

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

产品属性

产品编号：
FFSP1065B
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
11A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
421pF @ 1V，100kHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2
供应商器件封装：
TO-220-2
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
SIC DIODE TO220 650V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FFSP1065B供应商更新时间2024-11-28 16:20:00

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