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LTC2227IUH-PBF	文件：426.62 Kbytes Page：28 Pages	12-Bit,65/40/25MspsLowPower3VADCs	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC2227IUH-TR	文件：426.62 Kbytes Page：28 Pages	12-Bit,65/40/25MspsLowPower3VADCs	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC2227IUH-TRPBF	文件：426.62 Kbytes Page：28 Pages	12-Bit,65/40/25MspsLowPower3VADCs	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
MMDT2227	文件：483.1 Kbytes Page：6 Pages	Multi-ChipTransistor Features Powerdissipation PCM:0.2W(Tamp.=25°C) Collectorcurrent ICM:0.2/-0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:75/-60V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55°C~+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMDT2227	文件：271.45 Kbytes Page：3 Pages	NPN/PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •ComplementaryPair:NPN(2222A),PNP(2907A) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-smallSurfaceMountPackage •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureS	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMDT2227	文件：201.49 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYNPN/PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •ComplementaryPairsOne2222AType(NPN) One2907AType(PNP) •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMDT2227	文件：127.45 Kbytes Page：3 Pages	NPN&PNPGENERALPURPOSEAMPLIFIER DESCRIPTION TheUTCMMDT2227isanNPN&PNPgeneralpurposeamplifier.it’ssuitableforamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA. FEATURES LowVCE(SAT),VCE(SAT)=0.4V(typ.)@IC/IB=150mA/15mA,VCE(SAT)=1.4V(typ.)@IC/IB=300mA/30mA Highcollector	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMDT2227	文件：181.55 Kbytes Page：5 Pages	SmallSurfaceMountTransistor FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction. •ComplementaryPair. •Ultra-smallsurfacemountpackage. •One2222A-TypeNPN,One2907A-TypePNP APPLICATIONS •Idealforlowpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDT2227	文件：209.05 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(NPN/PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:200/-200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:75/-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMDT2227	文件：1.26571 Mbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(NPNPNP) DUALTRANSISTOR(NPN+PNP) FEATURE ●Epitaxialplanardieconstruction ●One2222ANPN One2907APNP ●Idealforpoweramplificationandswitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

详细参数

型号：
FFB2227A_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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