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MMDT2227M	文件：347.32 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYNPN/PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •ComplementaryPair •EpitaxialPlanarDieConstruction •One2222AType(NPN),One2907AType(PNP) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMDT2227Q	文件：458.19 Kbytes Page：6 Pages	40VCOMPLEMENTARYNPN/PNPSMALLSIGNALTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>40V •IC=600mAHighCollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurf	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MP2227	文件：458.27 Kbytes Page：13 Pages	24V,3A,1.3MHzSynchronousStep-DownConverter	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP2227DQ	文件：458.27 Kbytes Page：13 Pages	24V,3A,1.3MHzSynchronousStep-DownConverter	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
NMB2227A	文件：728.9 Kbytes Page：17 Pages	40V,600mANPN/PNPgeneral-purposetransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
OPA2227	文件：738.97 Kbytes Page：25 Pages	HighPrecision,LowNoiseOPERATIONALAMPLIFIERS	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
OPA2227	文件：838.51 Kbytes Page：27 Pages	HighPrecision,LowNoiseOPERATIONALAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA2227	文件：888.27 Kbytes Page：23 Pages	HIGHPRECISION,LOWNOISEOPERATIONALAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA2227	文件：551.89 Kbytes Page：24 Pages	HIGHPRECISION,LOWNOISEOPERATIONALAMPLIFIER 1FEATURES •LowNoise:3nV/√Hz •WideBandwidth:8MHz,2.3V/μs •SettlingTime:5μs •HighCMRR:138dB(Typical) •HighOpen-LoopGain:160dB(Typical) •LowInputBiasCurrent:10nAMaximumat 25°C •LowOffsetVoltage:100μVMaximumat25°C •WideSupplyRange:±2.5Vto±18V	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
OPA2227-EP	文件：888.27 Kbytes Page：23 Pages	HIGHPRECISION,LOWNOISEOPERATIONALAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
FFB2227A_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN & PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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