EasyDUAL module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM

Features • Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 150 A / IDRM = 300 A - Low switching losses - Low inductive design - High current density - Suitable Infineon gate drivers can be found under https://www.infineon.com/gdfinder • Mechanical features - Rugged mounting due to integrated

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Infineon

英飞凌

CoolSiC ™ MOSFET半桥模块 1200 V

EasyDUAL ™ 2B CoolSiC ™ MOSFET 半桥模块 1200 V、6 mΩ G1，带集成 NTC 温度传感器和 PressFIT 接触技术。 • 高度仅为 12mm 的一流封装\n• 极低的模块杂散电感\n• 扩大的栅极驱动电压窗口\n• 扩展的最大栅源电压\n• Tvjop：过载条件高达 175°C\n• 集成 NTC 温度传感器;

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Module

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IGBT

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全新原装 质保一年

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