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FF75R12RT4	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT模块; • Extended Operation Temperature T vj op\n• Low Switching Losses\n• Low V CEsat\n• T vj op = 150°C\n• V CEsat with positive Temperature Coefficient\n• Isolated Base Plate\n• Standard Housing\n\n优势:\n• Flexibility\n• Optimal electrical performance\n• Highest reliability\n; Our well-known 34 mm 1200V dual IGBT modules with fast TRENCHSTOP IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode are the right choice for your design.\n	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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FF75R12RT4

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IGBT模块; • Extended Operation Temperature T vj op\n• Low Switching Losses\n• Low V CEsat\n• T vj op = 150°C\n• V CEsat with positive Temperature Coefficient\n• Isolated Base Plate\n• Standard Housing\n\n优势:\n• Flexibility\n• Optimal electrical performance\n• Highest reliability\n;

Our well-known 34 mm 1200V dual IGBT modules with fast TRENCHSTOP IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode are the right choice for your design.\n

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FF75R12RT4

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FF75R12RT4HOSA1

文件：100 bytes

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Package：模块；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 75A 395W

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技术参数

Green：
yes
Halogen-free：
no
Voltage Class：
1200 V
Configuration：
Dual
Technology：
IGBT4 - T4
IC(nom) / IF(nom)：
75 A
OPN：
FF75R12RT4HOSA1
VCE(sat) Tvj=25°C typ：
1.85 V
VF Tvj=25°C typ：
1.7 V
Qualification：
Industrial
Housing：
34 mm
Dimensions length：
94 mm
Dimensions width：
34 mm
Package name：
AG-34MM

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