62 mm C-Series module with CoolSiC™ Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material

Features • Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 180 A / IDRM = 360 A - High current density - Low switching losses • Mechanical features - 4 kV AC 1 min insulation - Pre-applied thermal interface material

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半桥 1200 V CoolSiC ™ MOSFET 模块

62 毫米 1200 V、5.5 mΩ 半桥模块采用 CoolSiC ™ MOSFET 技术，采用著名的 62 毫米外壳，结合 M1H 芯片技术和预先应用的热界面材料 (TIM)。 • 高电流密度\n• 卓越的栅极氧化层可靠性\n• 坚固的集成体二极管\n• 高速开关模块\n• 标准构造技术;

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62mm C-Serien Modul mit CoolSiC??Trench MOSFET und bereits aufgetragenem Thermal Interface material

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62mm C-Serien Modul mit CoolSiC??Trench MOSFET

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62 mm C-Series module with CoolSiC™ Trench MOSFET

Features • Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 180 A / IDRM = 360 A - High current density - Low switching losses • Mechanical features - 4 kV AC 1 min insulation

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