1200 V CoolSiC™ MOSFET双管模块

\n优势:\n• 由于开关损耗极低，可最大限度减少冷却工作量\n• 高开关频率，可以使用更少的磁性元件。因此可以减小体积和外形尺寸\n• 由于模块带来的诸多好处，可以降低系统成本;

Infineon

英飞凌

62mm C-Serien Modul mit CoolSiC??Trench MOSFET und bereits aufgetragenem Thermal Interface material

文件：547.57 Kbytes 页数：8 Pages

INFINEON

英飞凌

62mm C-Serien Modul mit CoolSiC??Trench MOSFET

文件：545.12 Kbytes 页数：8 Pages

INFINEON

英飞凌

62 mm C-Series module with CoolSiC™ Trench MOSFET

Features • Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 180 A / IDRM = 360 A - High current density - Low switching losses • Mechanical features - 4 kV AC 1 min insulation

文件：731.48 Kbytes 页数：16 Pages

INFINEON

英飞凌

62 mm C-Series module with CoolSiC™ Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material

Features • Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 180 A / IDRM = 360 A - High current density - Low switching losses • Mechanical features - 4 kV AC 1 min insulation - Pre-applied thermal interface material

文件：721.1 Kbytes 页数：16 Pages

INFINEON

英飞凌