XHP?? module with Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode

Features • Electrical features - VCES = 3300 V - IC nom = 450 A / ICRM = 900 A - Low switching losses - High DC stability - High short-circuit capability - Low VCE,sat - Tvj,op = 150°C - Unbeatable robustness - VCE,sat with positive temperature coefficient • Mechanical features - AlSiC

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IGBT Modules up to 3300V

XHP™ 3 3300 V，450 A 双 IGBT 模块，采用第三代 TRENCHSTOP TM IGBT 和发射极控制二极管——专为灵活性和可靠性而设计！ • 高直流电压稳定性\n• 高短路能力\n• 低开关损耗\n• 低 VCEsat\n• 出色的坚固性\n• Tvj op = 150°C\n• VCEsat 带正温度系数\n• 铝碳化硅基板，用于提高热循环能力\n• 封装的 CTI > 600\n• 绝缘基板\n\n优势:\n• 高功率一体化平台，提供灵活性和可扩展性\n• 高功率密度和优化的框架尺寸\n• 高可靠性，且使用寿命长\n• 降低系统成本\n• 低电感;

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XHP?? module with Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode

Features • Electrical features - VCES = 3300 V - IC nom = 450 A / ICRM = 900 A - High DC stability - High short-circuit capability - Low switching losses - Low VCE,sat - Tvj,op = 150°C - Unbeatable robustness • Mechanical features - AlSiC base plate for increased thermal cycling capabil

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3300 V 双 IGBT 模块

XHP™ 3 3300 V, 450 A 双 IGBT 模块，采用第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、发射极控制二极管以及10.4 V的增强型隔离电压。 • 高直流电压稳定性\n• 高短路能力\n• 低开关损耗\n• 低 VCEsat\n• 出色的坚固性\n• Tvj op = 150°C\n• 具有正温度系数的V Cesat\n• 铝碳化硅基板，用于提高热循环能力\n• 封装的 CTI > 600\n• 绝缘基板\n\n优势:\n• 一个提供灵活性和可扩展性的大功率平台\n• 高功率密度和经过优化的框架尺寸\n• 高可靠性和长使用寿命\n• 降低系统成本\n• 低电感;

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Package：模块；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述：IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

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Package：模块；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述：IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K3

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Package：模块；包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述：IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

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