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FF450R33T3E3数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

FF450R33T3E3

参数属性

FF450R33T3E3 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

功能描述

IGBT Modules up to 3300V
IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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FF450R33T3E3规格书详情

描述 Description

XHP™ 3 3300 V,450 A 双 IGBT 模块,采用第三代 TRENCHSTOP TM IGBT 和发射极控制二极管——专为灵活性和可靠性而设计!

特性 Features

• 高直流电压稳定性
• 高短路能力
• 低开关损耗
• 低 VCEsat
• 出色的坚固性
• Tvj op = 150°C
• VCEsat 带正温度系数
• 铝碳化硅基板,用于提高热循环能力
• 封装的 CTI > 600
• 绝缘基板

优势:
• 高功率一体化平台,提供灵活性和可扩展性
• 高功率密度和优化的框架尺寸
• 高可靠性,且使用寿命长
• 降低系统成本
• 低电感

简介

FF450R33T3E3属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF450R33T3E3晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FF450R33T3E3

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :3300 V

  • Configuration

    :Dual

  • Technology

    :IGBT3 - E3

  • IC(nom) / IF(nom)

    :450 A

  • OPN

    :FF450R33T3E3BPSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :2.55 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :3.1 V

  • Qualification

    :Industrial/Traction

  • Housing

    :XHP™ 3

  • Features

    :Phase leg

  • Dimensions length

    :140 mm

  • Dimensions width

    :99.8 mm

  • Package name

    :AG-XHP100

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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