EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET

Features • Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 400 A / IDRM = 800 A - Low switching losses - High current density - Low inductive design • Mechanical features - PressFIT contact technology - Integrated NTC temperature sensor - Rugged mounting due to integrated mounting clamps

文件：1.20059 Mbytes 页数：16 Pages

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半桥 1200 V CoolSiC ™ MOSFET 简易模块

EasyDUAL ™ 3B 1200 V / 1.44 mΩ 半桥模块采用增强型第一代 CoolSiC ™ MOSFET、集成 NTC 温度传感器和 PressFIT 接触技术。 • 同类最佳封装：高度 12 毫米\n• 简易模块封装\n• 极低的模块杂散电感\n• 低且相等的栅极电感\n• 对称的内部芯片布局\n• 宽 RBSOA\n• 1200 V CoolSiC ™ MOSFET\n• 栅极驱动电压：+15…+18 V 和 0…-5 V\n• 最大。栅极-源极电压：+23 V 和 -10 V\n• Tvjop 在过载条件下。< 175°C\n• PressFIT 引脚;

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