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FF2MR12W3M1H_B11	文件：1.20059 Mbytes Page：16 Pages	EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET Features • Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 400 A / IDRM = 800 A - Low switching losses - High current density - Low inductive design • Mechanical features - PressFIT contact technology - Integrated NTC temperature sensor - Rugged mounting due to integrated mounting clamps 文件：1.20059 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多FF2MR12W3M1H_B11供应商更新时间2025-10-6 13:00:00