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FF2MR12W3M1H_B11中文资料半桥 1200 V CoolSiC ™ MOSFET 简易模块数据手册Infineon规格书

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厂商型号

FF2MR12W3M1H_B11

功能描述

半桥 1200 V CoolSiC ™ MOSFET 简易模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-12-2 23:01:00

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FF2MR12W3M1H_B11规格书详情

描述 Description

EasyDUAL ™ 3B 1200 V / 1.44 mΩ 半桥模块采用增强型第一代 CoolSiC ™ MOSFET、集成 NTC 温度传感器和 PressFIT 接触技术。

特性 Features

• 同类最佳封装:高度 12 毫米
• 简易模块封装
• 极低的模块杂散电感
• 低且相等的栅极电感
• 对称的内部芯片布局
• 宽 RBSOA
• 1200 V CoolSiC ™ MOSFET
• 栅极驱动电压:+15…+18 V 和 0…-5 V
• 最大。栅极-源极电压:+23 V 和 -10 V
• Tvjop 在过载条件下。< 175°C
• PressFIT 引脚

应用 Application

• 储能系统

技术参数

  • 制造商编号

    :FF2MR12W3M1H_B11

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Housing

    :Easy 3B

  • Dimensions(width)

    :62 mm

  • Dimensions(length)

    :109.85 mm

  • Applications

    :UPS

  • Features

    :PressFIT

  • Qualification

    :Industrial

  • Configuration

    :Half-bridge

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
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Infineon(英飞凌)
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