XHP?? module with Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode

Features • Electrical features - VCES = 6500 V - IC nom = 225 A / ICRM = 450 A - High dynamic robustness - Low VCE,sat - Trench IGBT 3 • Mechanical features - Package with CTI > 600 - Package with enhanced insulation of 10.4 kV AC 60 s - AlSiC base plate for increased thermal cycling cap

文件：682.15 Kbytes 页数：15 Pages

Infineon

英飞凌

IGBT 模块

\n优势:\n• 通过并联XHP ™模块实现出色的可扩展性\n• 由于简化的机械设计，加快了设计过程\n• 干净的开关过程;

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Package：模块；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述：IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6

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Package：模块；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述：IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6

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Package：模块；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述：IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-XHP3K6

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