62 mm C-Series module with CoolSiC™ Trench MOSFET

Features • Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 420 A / IDRM = 840 A - High current density - Low switching losses • Mechanical features - 4 kV AC 1 min insulation

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62 mm C-Series module with CoolSiC™ Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material

Features • Electrical features - VDSS = 1200 V - IDN = 420 A / IDRM = 840 A - High current density - Low switching losses • Mechanical features - 4 kV AC 1 min insulation - Pre-applied thermal interface material

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CoolSiC ™ MOSFET半桥模块 1200 V

62 毫米 CoolSiC ™ MOSFET 半桥模块 1200 V、2.1 mΩ G1 采用著名的 62 毫米外壳并结合 M1H 芯片技术。也可提供预先涂抹的热界面材料。 • 高电流密度\n• 低开关损耗\n• 卓越的栅极氧化层可靠性\n• 最高的抗湿性\n• 坚固的集成体二极管\n• 高宇宙射线抗性\n• 高速开关模块\n• 对称模块设计\n• 标准构造技术;

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Package：模块；包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述：MEDIUM POWER 62MM

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CoolSiC ™ MOSFET半桥模块 1200 V

62 毫米 CoolSiC ™ MOSFET 半桥模块 1200 V、2.1 mΩ G1 采用著名的 62 毫米外壳，结合 M1H 芯片技术和预先应用的热界面材料 (TIM)。 • 高电流密度\n• 低开关损耗\n• 卓越的栅极氧化层可靠性\n• 最高的抗湿性\n• 坚固的集成体二极管\n• 高宇宙射线抗性\n• 高速开关模块\n• 对称模块设计\n• 标准构造技术;

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Package：模块；包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 描述：MEDIUM POWER 62MM

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