FF150R12RT4中文资料IGBT模块数据手册Infineon规格书

描述 Description

半桥 34 mm 1200 V, 150 A 双管 IGBT 模块，采用第四代高速 TRENCHSTOP™ IGBT和优化的发射极控制二极管，是您设计的理想选择。

特性 Features

• 扩展工作温度 Tvj op
• 低开关损耗
• 低 VCEsat
• Tvj op = 150°C
• VCEsat 带正温度系数
• 绝缘基板
• 标准外壳

优势:
• 灵活性
• 优化的电气性能
• 高可靠性

简介

FF150R12RT4属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FF150R12RT4晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。