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FF150R12RT4	文件：476.262 Kbytes Page：9 Pages	英飞凌IGBT FF150R12RT4 文件：476.262 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
FF150R12RT4	文件：466.22 Kbytes Page：9 Pages	34mm Module with fast Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode 文件：466.22 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FF150R12RT4	文件：596.39 Kbytes Page：9 Pages	34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 文件：596.39 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FF150R12RT4	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT模块半桥 34 mm 1200 V, 150 A 双管 IGBT 模块，采用第四代高速 TRENCHSTOP™ IGBT和优化的发射极控制二极管，是您设计的理想选择。 • 扩展工作温度 Tvj op\n• 低开关损耗\n• 低 VCEsat\n• Tvj op = 150°C\n• VCEsat 带正温度系数\n• 绝缘基板\n• 标准外壳\n\n优势:\n• 灵活性\n• 优化的电气性能\n• 高可靠性;	Infineon 英飞凌	Infineon
FF150R12RT4_13	文件：596.39 Kbytes Page：9 Pages	34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 文件：596.39 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FF150R12RT4HOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 150A 790W	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Green：
yes
Halogen-free：
no
Voltage Class：
1200 V
Configuration：
Dual
Technology：
IGBT4 - T4
IC(nom) / IF(nom)：
150 A
OPN：
FF150R12RT4HOSA1
VCE(sat) Tvj=25°C typ：
1.75 V
VF Tvj=25°C typ：
1.75 V
Qualification：
Industrial
Housing：
34 mm
Dimensions length：
94 mm
Dimensions width：
34 mm
Package name：
AG-34MM

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更多FF150R12RT4供应商更新时间2025-10-12 22:59:00

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