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FF150R12RT4	文件：466.22 Kbytes Page：9 Pages	34mm Module with fast Trench/Feldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FF150R12RT4	文件：596.39 Kbytes Page：9 Pages	34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FF150R12RT4_13	文件：596.39 Kbytes Page：9 Pages	34mm Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FF150R12RT4HOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 150A 790W	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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DF150R12RT4	文件：649.28 Kbytes Page：10 Pages	34mmModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
FD150R12RT4	文件：487.43 Kbytes Page：9 Pages	34mmModulewithfastTrench/FeldstoppIGBT4andEmitterControlled4diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
FF150R12RT4
功能描述：
IGBT 模块 IGBT 1200V 150A
RoHS：
否
制造商：
Infineon Technologies
产品：
IGBT Silicon Modules
配置：
Dual 集电极—发射极最大电压
VCEO：
600 V
集电极—射极饱和电压：
1.95 V 在25
C的连续集电极电流：
230 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
445 W
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
34MM

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