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FESB16JT-E3/45	文件：143.67 Kbytes Page：5 Pages	Ultrafast Plastic Rectifier FEATURES •Powerpack •Glasspassivatedpelletchipjunction •Ultrafastrecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B10	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
FESB16JT-E3/45	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
FEP16JT-E3/45	文件：157.14 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeUltrafastPlasticRectifier FEATURES •Powerpack •Glasspassivatedpelletchipjunction •Ultrafastrecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B10	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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产品属性

产品编号：
FESB16JT-E3/45
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
16A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
145pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263AB（D²PAK）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB

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