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FF150R12KT3G	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200 V、150 A 双 IGBT 模块 The half-bridge 62 mm C-Series 1200 V dual switch IGBT modules with fast TRENCHSTOP™ IGBT3 and Emitter Controlled high efficiency diode is the right choice for your design. • Superior solution for frequency controlled inverter drives\n• UL/CSA Certification with UL1557 E83336\n• Operating temperature up to 125 °C (max 150 °C)\n• Optimized switching characteristic like softness and reduced switching losses\n• Existing packages with higher current capability\n• RoHS comp;	Infineon 英飞凌	Infineon
FF150R12KT3G	文件：427.87 Kbytes Page：8 Pages	62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstop IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode 文件：427.87 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FF150R12KT3GHOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 225A 780W	Infineon 英飞凌	Infineon
FS150R12KT3	文件：458.9 Kbytes Page：8 Pages	EconoPACK™3 Modul mit schnellem Trench/Feldstop IGBT3 und High Efficiency Diode 文件：458.9 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
FS150R12KT3	文件：359.51 Kbytes Page：8 Pages	EconoPACK3 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode 文件：359.51 Kbytes 页数：8 Pages	eupec	eupec
FS150R12KT3	文件：308.9 Kbytes Page：8 Pages	IGBT-Module EconoPACK3 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode 文件：308.9 Kbytes 页数：8 Pages	eupec	eupec

技术参数

Green：
yes
Halogen-free：
no
Voltage Class：
1200 V
Configuration：
Dual
Technology：
IGBT3 - T3
IC(nom) / IF(nom)：
150 A
OPN：
FF150R12KT3GHOSA1
VCE(sat) Tvj=25°C typ：
1.7 V
VF Tvj=25°C typ：
1.65 V
Qualification：
Industrial
Housing：
62 mm
Dimensions length：
106.4 mm
Dimensions width：
61.4 mm
Package name：
AG-62MM

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