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FERD60M45C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Field effect rectifier 这款双通道整流二极管基于专有技术，能达到单位面积内最好的 VF/IR比。\n 该器件采用TO-220AB封装，旨在用于开关电源或汽车应用。 • ST 先进的整流工艺\n• 在反向电压下稳定的漏电流• 低正向压降\n• 高频操作;	ST 意法半导体	ST
FERD60M45C	文件：138.98 Kbytes Page：7 Pages	Stable leakage current over reverse voltage 文件：138.98 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
FERD60M45CT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY 45V 30A TO220AB	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
S60M45C	文件：142.7 Kbytes Page：2 Pages	Switchmode Schottky Barrier Power Rectifiers 文件：142.7 Kbytes 页数：2 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
S60M45F	文件：141.81 Kbytes Page：2 Pages	Switchmode Schottky Barrier Power Rectifiers 文件：141.81 Kbytes 页数：2 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
VT60M45C	文件：134.9 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATIONS For use in 文件：134.9 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

技术参数

Number of Diodes_spec：
2
Marketing Status：
Active
Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)：
45
Average Rectified Current_max(A)：
60
VF_max(V)：
0.55
VF measure condition_spec(@ IF)(A)：
30
Reverse Current_max(mA)：
0.55
Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)：
275
Junction Temperature_max(°C)：
175
General Description：
45 V

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更多FERD60M45C供应商更新时间2025-10-5 14:02:00

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