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STGB30H60DF	文件：1.95033 Mbytes Page：24 Pages	600V,30Ahighspeedtrenchgatefield-stopIGBT Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGB30H60DFB	文件：1.75373 Mbytes Page：21 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThedeviceispartofthenewHBseries ofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofany frequencyconve	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGB30H60DFB	文件：334.79 Kbytes Page：4 Pages	TrenchgateField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STGB30H60DLFB	文件：1.74476 Mbytes Page：20 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThedeviceispartofthenewHB seriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofany frequencyconve	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGB30H60DLLFBAG	文件：1.00949 Mbytes Page：17 Pages	Automotive-gradetrenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed Features AEC-Q101qualified Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C Logiclevelgatedrive Highspeedswitchingseries Minimizedtailcurrent VCE(sat)=1.7V(typ.)@IC=30A LowVFsoftrecoveryco-packageddiode Tightparametersdistribution Saferparalleling L	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGF30H60DF	文件：1.95033 Mbytes Page：24 Pages	600V,30Ahighspeedtrenchgatefield-stopIGBT Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGO30H60DLLFBAG	文件：1.48747 Mbytes Page：15 Pages	Automotive-gradetrenchgatefield-stop,600V,30A,high-speedHBseriesIGBTinaTO‑LLpackage Features •AEC-Q101qualified •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •Logiclevelgatedrive •High-speedswitchingseries •Minimizedtailcurrent •VCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=30A •LowVFsoft-recoveryco-packageddiode •Tightparameterdistribution •Saferparalleling •Lo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP30H60DF	文件：1.95033 Mbytes Page：24 Pages	600V,30Ahighspeedtrenchgatefield-stopIGBT Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP30H60DFB	文件：1.75373 Mbytes Page：21 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThedeviceispartofthenewHBseries ofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofany frequencyconve	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGW30H60DF	文件：1.95033 Mbytes Page：24 Pages	600V,30Ahighspeedtrenchgatefield-stopIGBT Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
FERD30H60CTS
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
FERD（场效应整流器二极管）
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
15A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
175°C（最大）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
DIODE ARRAY 60V 15A TO220AB

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