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FR202	文件：46.37 Kbytes Page：3 Pages	2.0AFASTRECOVERYRECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowForwardVoltageDrop ●HighCurrentCapability ●HighReliability ●HighSurgeCurrentCapability	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
FR202	文件：141.83 Kbytes Page：2 Pages	2.0AMPS.FASTRECOVRYRECTIFIERS	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
FR202	文件：152.47 Kbytes Page：2 Pages	2.0AMPFASTRECOVERYRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT2.0Amperes FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	BYTES Bytes	BYTES
FR202	文件：33.25 Kbytes Page：2 Pages	2.0AMPFASTRECOVERYRECTIFIERS 2.0AAxialLeadedFastRecoveryRectifiers-50V-1000V Features •Axialleadtypedevicesforthroughholedesign. •Highcurrentcapability. •Fastswitchingforhighefficiency. •Highsurgecurrentcapability. •Siliconrubbercoatingchipjunction. •Lead-freepartsmeetRoHSrequirment	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FR202	文件：443.45 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFFASTRECOVERYRECTIFIER FEATURES Fastswitching Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highcurrentsurge Highreliability	DCCOM Dc Components	DCCOM
FR202	文件：47.63 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERDIODES PRV:50-1000Volts Io:2.0Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Fastswitchingforhighefficiency	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
FR202	文件：80.04 Kbytes Page：3 Pages	2AmpFastRecoveryRectifier50to1000Volts Features ·LowCost ·LowLeakage ·LowForwardVoltageDrop ·HighCurrentCapability ·FastSwitchingSpeedForHighEfficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
FR202	文件：50.74 Kbytes Page：2 Pages	2AFASTRECOVERYDIODES 2AFASTRECOVERYDIODES	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
FR202	文件：54.45 Kbytes Page：4 Pages	2.0AFASTRECOVERYDIODE	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
FR202	文件：66.42 Kbytes Page：2 Pages	2.0AMPFASTRECOVERYRECTIFIERS FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM

详细参数

型号：
FDZ202P_Q
功能描述：
MOSFET 20V/12V P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDZ202P_Q供应商更新时间2025-5-24 11:00:00

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