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FKBP202	文件：106.58 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERY	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
FKP202	文件：306.68 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
FKP202	文件：312.11 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelMOSFET	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
FKP202	文件：295.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FM202	文件：22.77 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSILICONRECTIFIER(VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT2.0Amperes)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM202	文件：67.01 Kbytes Page：2 Pages	Glasspassivatedtype Glasspassivatedtype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurr	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
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详细参数

型号：
FDZ202P_Q
功能描述：
MOSFET 20V/12V P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDZ202P_Q供应商更新时间2025-5-19 11:00:00

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