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FDWS5360L_F085

60V N沟道PowerTrench® MOSFET

N-Channel Power Trench® MOSFET 60 V, 60 A, 8.5 mΩ 典型 rDS(on) = 6.5 mΩ(VGS = 10 V、ID = 60 A)\n典型 Qg(tot) = 64 nC(VGS = 10 V、ID = 60 A 时)\nUIS 能力\n符合RoHS标准\n符合 AEC Q101 标准\n可湿螺纹面,用于自动光检测 (AOI);

ONSEMI

安森美半导体

FDWS5360L-F085

丝印:FDWS5360L;Package:Power56;N-Channel Power Trench짰 MOSFET 60V, 60A, 8.5m廓

文件:540.72 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDMS5360L_F085

N-Channel Power Trench짰 MOSFET

文件:503.55 Kbytes 页数:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDWS86368-F085

POWER56

ON

FDY1002PZ

SOT563

FSC

技术参数

  • Compliance:

    AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free

  • Status:

     Active  

  • Description:

     N-Channel Power Trench® MOSFET 60V

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

     

  • V(BR)DSS Min (V):

    60

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    60

  • PD Max (W):

    150

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    10.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    8.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    64

  • Ciss Typ (pF):

    3695

  • Package Type:

    DFN-8

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更多FDWS5360L_F085供应商 更新时间2025-11-6 16:27:00