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FDMS5360L_F085	文件：503.55 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power Trench짰 MOSFET 文件：503.55 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMS5360L_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，60A，6.5mΩ FDMS5360L_F085 典型 rDS(on)= 6.5 mΩ，条件是 VGS=10 V、ID=60 A \n 典型 Qg(tot)=64 nC，条件是 VGS= 10 V、ID= 60 A \n UIS 能力\n 符合 RoHS 标准\n 符合 AEC Q101 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS5360L-F085	文件：854.6 Kbytes Page：6 Pages	丝印：FDMS5360L；Package：Power56；N-Channel Power Trench짰 MOSFET 文件：854.6 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMS6681Z	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD QFN-8	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司上传：深圳市中联芯电子有限公司	Fairchild
FDMS7682	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON/安森美 QFN	ON/安森美上传：深圳市创盛芯科技有限公司	ON/安森美

技术参数

Compliance：
AEC QualifiedPPAP CapablePb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
60V
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
60
PD Max (W)：
150
GS = 2.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
GS = 4.5 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
GS = 10 V\ style=\cursor：
help\>Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
Ciss Typ (pF)：
3695
Package Type：
PQFN-8

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