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FDV045P20L	文件：300 bytes Page：1 Pages	-20 V P-Channel PowerTrench® MOSFET 此 P 沟道 MOSFET 器件采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产，工艺经过优化，可实现最低通态电阻，同时仍保持卓越的开关性能。 • 最大 rDS(on) = 108 mΩ（VGS = -4.5 V、ID = -1.15 A）\n• 最大 rDS(on) = 121 mΩ（VGS = -2.5 V、ID = -0.7 A）\n• 中压 P 沟道硅技术的 rDS(on)极低，非常适用于 Qg 较低的情况\n•本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多FDV045P20L供应商更新时间2025-12-12 16:12:00