单 N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 30V，13A，8mΩ

该N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 •13 A, 30 V。\n•RDS(ON) = 8 mΩ @ VGS = 10 V\n•RDS(ON) = 10 mΩ @ VGS = 4.5 V\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，PowerTrench® SyncFET™，30V，13.5A，9.0mΩ

FDS6670AS设计用于替代同步DC:DC电源中的一个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供一个低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS6670AS包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。 •13.5A，30V RDS(on) = 9.0 mΩ @ VGS = 10V RDS(on) = 11.5mΩ @ VGS = 4.5V\n•包含SyncFET肖特基体二极管\n•低栅极电荷（27nC典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)和快速开关\n•高功率和高电流处理能力\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

6A, 24V, 600kHz Step-Down Converter with Synchronous Gate Driver

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立锜科技