Dual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This P-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers, and battery chargers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other

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FAIRCHILD

仙童半导体

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，- 30V，-6.9A，22mΩ

该P沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器及电池充电器。 与其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。 •–6.9 A，–30 V\n•RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = –10 V\n•RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = - 4.5 V\n•扩展了VGSS范围(-25V)，适合电池应用\n•静电放电(ESD)保护二极管（注3）\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.05747 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 1.0 Ampere)

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RECTRON

丽正国际

1A FAST RECOVERY SMA DIODES

1A FAST RECOVERY SMA DIODES

文件：58.71 Kbytes 页数：2 Pages

LRC

乐山无线电