FDS4685中文资料40V,P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-8.2A,27mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDS4685规格书详情
描述 Description
此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 已针对要求大范围栅极驱动电压额定值(4.5V-20V)的功率管理应用进行了优化。
特性 Features
•-8.2A, -40V
•RDS(ON) = 0.027 mΩ @ VGS = -10V
•RDS(ON) = 0.035 mΩ @ VGS = -4.5V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Power Management
• Load Switch
• Battery Protection
技术参数
- 制造商编号
:FDS4685
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-40
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:-3
- ID Max (A)
:-8.2
- PD Max (W)
:2.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:35
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:27
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:19
- Ciss Typ (pF)
:1872
- Package Type
:SOIC-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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