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FDS360	文件：244.72 Kbytes Page：3 Pages	Marking：A3；Package：SOT-523；Monolithic Dual Switching Diode Common Anode	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FDS3601	文件：89.16 Kbytes Page：5 Pages	100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelMOSFETshavebeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomparableRD	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FM360	文件：25.27 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER(VOLTAGERANGE20to100VoltsCURRENT3.0Amperes)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM360	文件：70.05 Kbytes Page：2 Pages	Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ●Forsurfacemountedapplications. ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ●Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM360	文件：87.69 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
FM360-A	文件：69.34 Kbytes Page：2 Pages	Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ●Forsurfacemountedapplications. ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ●Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM360-AL	文件：71.48 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype ChipSchottkyBarrierRectifier 3.0ASurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers-20V-200V	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM360-ALN	文件：72.52 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-OUtilizingFlame RetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurr	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM360-AN	文件：72.37 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ●Forsurfacemountedapplications. ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ●Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM360B	文件：31.11 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGERANGE20to60VoltsCURRENT3.0Amperes	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

详细参数

型号：
FDS360
功能描述：
MOSFET SO-8
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDS360供应商更新时间2025-7-27 8:26:00

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