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IXTA8N50P	文件：228 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA8N50P	文件：299.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP8N50P	文件：295.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP8N50P	文件：228 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP8N50PM	文件：112.09 Kbytes Page：2 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MS8N50	文件：413.27 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MSF8N50	文件：736.75 Kbytes Page：8 Pages	500VN-ChannelMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTB8N50E	文件：162.7 Kbytes Page：6 Pages	TMOSPOWERFET8.0AMPERES500VOLTS TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationscheme	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTB8N50E	文件：332.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTH8N50E	文件：293.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
FDPF8N50NZT
功能描述：
MOSFET N-CH 500V8A TO-220F
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
UniFET™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDPF8N50NZT供应商更新时间2025-7-25 22:58:00

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