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IXTP8N50P | PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：228 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXTP8N50P | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.18 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
PolarHV Power MOSFET 文件：112.09 Kbytes 页数：2 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
IXTP8N50P | N通道标准 Polar™ MOSFET • 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(ON)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
N-Channel: Standard Power MOSFETs ·Breakdown voltages (VDSS) up to 4500V\n·Current ratings (ID25) ranging from 100mA to 250A\n·Ultra-low RDS(on) - as low as 7.5 milliohm\n·High power density\n·Easy to mount\n·PCB space savings\n·International standard and proprietary high voltage packages; | Littelfuse 力特 | Littelfuse |
技术参数
- Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.8
- Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
8
- Gate Charge (nC)：
20
- Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.83
- Configuration：
Single
- Package Type：
TO-220
- Typical Reverse Recovery Time (ns)：
400
- Power Dissipation (W)：
150
- Sample Request：
No
- Check Stock：
Yes
- Replaced By Part Number：
IXTP8N65X2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2026-4-14 16:56:00
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