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FDPF8N50NZT	文件：379.92 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel UniFET II MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF8N50NZU	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HMS8N50I	文件：935.83 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS8N50K	文件：935.83 Kbytes Page：7 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HY8N50FT	文件：129.66 Kbytes Page：4 Pages	500V/8.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
HY8N50T	文件：129.66 Kbytes Page：4 Pages	500V/8.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IRFIB8N50K	文件：147.57 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB8N50KPBF	文件：173.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFP8N50	文件：296.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=800mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP8N50PM	文件：112.59 Kbytes Page：2 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
FDPF8N50NZT
功能描述：
MOSFET N-CH 500V8A TO-220F
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
UniFET™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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