DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti

文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel UniFETTM II Ultra FRFETTM MOSFET?

Description UniFET™ II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanc

文件：337.96 Kbytes 页数：8 Pages

Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.4Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve

文件：322.51 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC convert

文件：322.92 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET, FRFET

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DOMS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high

文件：230.6 Kbytes 页数：10 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55廓

文件：466.77 Kbytes 页数：10 Pages

Fairchild

仙童半导体

N-Channel MOSFET 500V, 4.2A, 1.75廓

文件：272.03 Kbytes 页数：9 Pages

Fairchild

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，4.5 A，1.5 Ω，TO-220F

UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于先进平面条形和 DMOS 技术。 该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。 •RDS(on) = 1.38Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 2.25A\n•低栅极电荷（典型值 9nC） \n•低 Crss（典型值 4pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力\n•改进了 ESD 防护能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道 UniFETTM II FRFET® MOSFET 500V，4.2A，1.75Ω

UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于先进平面条形和 DMOS 技术。 该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 UniFET II FRFET® MOSFET体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 •RDS(on) = 1.57Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 2.1A\n•低栅极电荷（典型值 9nC） \n•低 Crss（典型值 4pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力\n•改进了 ESD 防护能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，Ultra FRFETTM，500 V，3.9 A，2.0 Ω，TO-220F

UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于先进平面条形和 DMOS 技术。 该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 UniFET II Ultra FRFETTM MOSFET有很多出色的体二极管反向恢复性能。 其 trr 小于 50nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 20V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 •RDS(on) = 1.7Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 1.95A\n•低栅极电荷（典型值 9nC） \n•低 Crss（典型值 4pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力\n•改进了 ESD 防护能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体