N-Channel MOSFET, FRFET

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DOMS technology. This advance technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC convert

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ISC

无锡固电

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，Ultra FRFETTM MOSFET，500 V，4 A，2 Ω，TO-220F

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET Ultra FRFETTM MOSFET 具有非常卓越的体二极管反向恢复性能。 其 trr 小于 50nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 20V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，UniFET Ultra FRFET MOSFET 在要求 MOSFET 体二极管性能改进的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠 •RDS(on) = 1.65Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 2A\n•低栅极电荷（典型值 11nC） \n•低 Crss（典型值 5pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Power MOSFET-D

文件：4.16435 Mbytes 页数：8 Pages

FOSTER

福斯特半导体

600V N-Channel MOSFET

文件：5.63807 Mbytes 页数：11 Pages

FOSTER

福斯特半导体

600V N-Channel MOSFET

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FOSTER

福斯特半导体