DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti

文件：298.83 Kbytes 页数：14 Pages

Fairchild

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：318.97 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

200V N-Channel MOSFET

文件：1.07604 Mbytes 页数：10 Pages

Fairchild

仙童半导体

N 沟道 UniFETTM MOSFET 200V，39A，66mΩ

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。 •RDS(on) = 66mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 19.5A\n•低栅极电荷（典型值 38nC） \n•低 Crss（典型值 57pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试;

ONSEMI

安森美半导体

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Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti

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Fairchild

仙童半导体

N 沟道 UniFETTM MOSFET 200 V，39 A，66 mΩ

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体公司的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术开发。 该 MOSFET 产品专用于降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。 •RDS(on) = 66 mΩ（最大值），需 VGS = 10 V、ID = 19.5 A\n•低栅极电荷（典型值 38 nC)\n•低Crss（典型值 57 pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试;

ONSEMI

安森美半导体