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FDPF320N06L	文件：225.12 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 21A, 25m廓 Description ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancePowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •RDS(on)=20mΩ(Typ.)@VGS=10V,ID=21A •RDS(on)=23	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF320N06L	文件：323.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 21A, 25m廓

Description ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancePowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features •RDS(on)=20mΩ(Typ.)@VGS=10V,ID=21A •RDS(on)=23

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDPF320N06L

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=21A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

详细参数

型号：
FDPF320N06L
功能描述：
MOSFET 60V NCHAN PwrTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDPF320N06L供应商更新时间2025-5-16 19:01:00

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