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IXTA16N50P	文件：148.85 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated VDSS=500V ID25=16A RDS(on)≤400mΩ Features UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Internationalstandardpackages Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages Easytomount Spacesavings Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP16N50P	文件：148.85 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated VDSS=500V ID25=16A RDS(on)≤400mΩ Features UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Internationalstandardpackages Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages Easytomount Spacesavings Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP16N50P	文件：295.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP16N50PM	文件：188.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP16N50PM	文件：296.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTQ16N50P	文件：148.85 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated VDSS=500V ID25=16A RDS(on)≤400mΩ Features UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated Internationalstandardpackages Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages Easytomount Spacesavings Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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KF16N50F	文件：83.67 Kbytes Page：7 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.Itismainlysuitableforswitchingmodepowersupplies. FEATURES •VDSS(Min.)=500V,ID=17A •Drain-SourceONRes	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
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MDF16N50G	文件：1.32602 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,16.0A,0.35(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	FDPF16N50UT	FAIRCHILD/仙童	24+	TO220F	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
深圳市恒创达实业有限公司	FDPF16N50UT	FSC进口原	17+	TO-220F	6200		询价
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